恭喜苏州晶歌半导体有限公司黄勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶歌半导体有限公司申请的专利缓冲层结构、mHEMT器件以及mHBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510066317.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权缓冲层结构、mHEMT器件以及mHBT器件是由黄勇设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本缓冲层结构、mHEMT器件以及mHBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种缓冲层结构，其包括：砷化镓衬底；在砷化镓衬底上依序层叠的InAlAs缓存层和InAlP或InGaP缓存层；其中，在制作过程中通过使In组分从0%增加到第一预定含量来使InAlAs缓存层的晶格参数从砷化镓的晶格参数逐渐增加到预定晶格参数，且在制作过程中通过使In组分从第二预定含量增加到100%来使InAlP或InGaP缓存层的晶格参数从预定晶格参数逐渐增加到磷化铟的晶格参数；其中，InAlAs缓存层在其In组分为第一预定含量时未出现相分离，InAlP或InGaP缓存层在其In组分为第二预定含量时未出现相分离。
本发明授权缓冲层结构、mHEMT器件以及mHBT器件在权利要求书中公布了：1.一种缓冲层结构，其特征在于，包括：砷化镓衬底；在所述砷化镓衬底上依序层叠的InAlAs缓存层和InAlP或InGaP缓存层；其中，在制作过程中通过使In组分从0%增加到第一预定含量来使所述InAlAs缓存层的晶格参数从砷化镓的晶格参数逐渐增加到预定晶格参数，且在制作过程中通过使In组分从第二预定含量增加到100%来使所述InAlP或InGaP缓存层的晶格参数从所述预定晶格参数逐渐增加到磷化铟的晶格参数；其中，所述InAlAs缓存层在其In组分为所述第一预定含量时未出现相分离，所述InAlP或InGaP缓存层在其In组分为所述第二预定含量时未出现相分离。
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