买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜江西杰创半导体有限公司;杰创半导体(苏州)有限公司申请的专利一种VCSEL芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119093154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411180480.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种VCSEL芯片及其制作方法是由祝进田设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体芯片制备技术领域，具体涉及一种VCSEL芯片及其制作方法，VCSEL芯片包括衬底、外延层、氧化层、钝化膜以及P型电极；制作时在外延层上形成沟槽及mesa平台，并在沟槽内制作扩散阻挡层，防止后续原子扩散经过有源区及氧化层，之后采用化学气相沉积经由沟槽从侧面进行水平方向的原子扩散，使沟槽内、外围区域的P型DBR顶部形成扩散区，失去反射能力。本发明通过侧面扩散形成的扩散区前沿是圆柱面，扩散深度比较容易控制；并且通过侧面原子扩散，扩散区前沿和出光孔垂直方向非破坏P型DBR接触面积增加很多，有利于VCSEL芯片在较大输出功率的情况下仍为单横模工作，有利于增加气体探测范围或增加信号的灵敏度。

本发明授权一种VCSEL芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法如下：a、选择衬底，并在衬底上形成外延层，所述外延层包括N型缓冲层、N型DBR、有源区、氧化层、P型DBR和欧姆接触层；b、在外延层表面沉积介质膜，并通过刻蚀在外延层上形成沟槽及mesa平台；具有刻蚀深度的所述沟槽向下越过所述氧化层；c、对刻蚀后的外延片进行氧化处理；d、在所述沟槽内形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层填充于所述沟槽底部，由侧面覆盖有源区及氧化层；其中，扩散阻挡层在沟槽内由N型DBR顶部界面处沿垂直方向进行填充，所述扩散阻挡层顶部向上越过所述氧化层；e、将步骤d中的结构采用化学气相沉积经由沟槽从侧面进行水平方向的原子扩散，使沟槽内、外围区域的P型DBR局部形成扩散区，失去反射能力；f、制备P型电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西杰创半导体有限公司;杰创半导体(苏州)有限公司，其通讯地址为：344703 江西省抚州市南城县河东工业园区B17栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。