日月光半导体制造股份有限公司庄劭萱获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222775310U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421333242.8,技术领域涉及:H01L23/31;该实用新型封装结构是由庄劭萱;张皇贤设计研发完成,并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了:本申请的实施例提供了一种封装结构,封装结构该包括:第一基板;第一焊盘,设置于第一基板上,第一焊盘具有第一上表面和与第一上表面相对的第一底表面;第一导电凸块,设置于第一上表面上;第二焊盘,设置于第一基板上,第二焊盘具有第二上表面和与第二上表面相对的第二底表面,第二上表面高于第一上表面,并且第二底表面与第一底表面对齐;第二导电凸块,设置于第二上表面上,其中,第二导电凸块的上表面高于第一导电凸块的上表面;第一焊球,位于第一导电凸块上;以及第二焊球,位于第二导电凸块上。本申请实施例所提供的封装结构至少可以降低第一焊球和第二焊球桥接的风险。本申请的实施例还提供了另一种封装结构。
本实用新型封装结构在权利要求书中公布了:1.一种封装结构,其特征在于,包括:第一基板;第一焊盘,设置于所述第一基板上,所述第一焊盘具有第一上表面和与所述第一上表面相对的第一底表面;第一导电凸块,设置于所述第一上表面上;第二焊盘,设置于所述第一基板上,所述第二焊盘具有第二上表面和与所述第二上表面相对的第二底表面,所述第二上表面高于所述第一上表面,并且所述第二底表面与所述第一底表面对齐;第二导电凸块,设置于所述第二上表面上,其中,所述第二导电凸块的上表面高于所述第一导电凸块的上表面,第一焊球,位于所述第一导电凸块上;以及第二焊球,位于所述第二导电凸块上。
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