买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜梧州学院申请的专利一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带隙基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117908624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410110924.0，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带隙基准源是由于健海;陈恩铭;彭瑶;王进;侯梦迪;黄永前设计研发完成，并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带隙基准源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带隙基准源，包括：启动电路模块、PTAT电流产生电路模块、V曲线补偿结构模块、偏置电路模块和运算放大器模块；所述启动电路模块，用于与所述PTAT电流产生电路模块连接，提供电流；所述PTAT电流产生电路模块，用于生成带隙基准源中所需的PTAT电流的电路，并与所述V型曲线补偿电路模块连接；所述V曲线补偿结构模块，用于通过调整电流镜中相关晶体管的宽长比尺寸进行温度补偿；所述偏置电路模块，用于提供尾电流给所述运算放大器模块；所述运算放大器模块，用于调整所述V曲线补偿结构模块和所述偏置电路模块的输出端电压。本发明输出的基准电压噪声小并且温度系数低。

本发明授权一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带隙基准源在权利要求书中公布了：1.一种应用于MEMS磁阻传感器接口电路的带隙基准源，其特征在于，包括：启动电路模块、PTAT电流产生电路模块、V型曲线补偿结构模块、偏置电路模块和运算放大器模块；所述启动电路模块，用于与所述PTAT电流产生电路模块连接，提供电流；所述PTAT电流产生电路模块，用于生成带隙基准源中所需的PTAT电流的电路，并与所述V型曲线补偿结构模块连接；所述PTAT电流产生电路模块包括：晶体管MP1、晶体管MP2、斩波运放结构、电阻R1、结电压VEB1、结电压VEB2、晶体管Q1和晶体管Q2；所述晶体管MP1的栅极连接到所述晶体管MP2的栅极和所述斩波运放结构的输出端，所述晶体管MP1的源极所述晶体管MP2的源极连接到电源，所述晶体管MP1的漏极连接到所述电阻R1和所述斩波运放结构的同相输入端，所述晶体管Q1和所述晶体管Q2的电压分别为结电压VEB1、结电压VEB2，所述晶体管Q2的发射极与电阻R1相连，所述晶体管MP2的漏极连接到所述斩波运放结构的反相输入端、所述晶体管Q1的发射极和运算放大器模块的一个输入端，所述晶体管Q1的基极、集电极和所述晶体管Q2的基极、集电极均连接到地；所述V型曲线补偿结构模块，用于通过调整电流镜中相关晶体管的宽长比尺寸进行温度补偿；所述V型曲线补偿结构模块包括：晶体管MP3、晶体管MP4、晶体管MP5、晶体管MP6、晶体管MP7、晶体管MN3、晶体管MN4、晶体管MN5；所述带隙基准源还包括晶体管MN1、晶体管MN2和电阻Rref；所述晶体管MN1的栅极连接所述运算放大器模块的输出端，所述晶体管MN1的漏极连接所述运算放大器模块的另一个输入端，所述晶体管MN1和所述晶体管MN2的源极与电源连接，所述晶体管MN1和所述晶体管MN2的栅极与所述晶体管MN3的栅极连接，所述晶体管MN2漏极与所述晶体管MN5漏极和所述电阻Rref的上端连接，所述电阻Rref的下端接地；所述晶体管MP3的栅极连接到所述晶体管MP4的栅极和所述晶体管MP2的栅极，所述晶体管MP3的漏极连接到晶体管MN2的漏极，所述晶体管MP3的源极、所述晶体管MP4的源极和所述晶体管MN3的源极均连接到电源，所述晶体管MP4的漏极连接到所述晶体管MP5的栅极和漏极、所述晶体管MP6的栅极、所述晶体管MP7的栅极，所述晶体管MP5的源极、所述晶体管MP6的源极和所述晶体管MP7的源极均接地，所述晶体管MP6的漏极连接到所述晶体管MN4的源极，所述晶体管MN3的漏极连接到所述晶体管MN4的栅极、所述晶体管MN5的栅极、所述晶体管MN4的漏极，所述晶体管MN5的源极与所述晶体管MP7的漏极；所述电阻Rref产生的电流Iref1供给所述V型曲线补偿结构模块，所述晶体管MN2的漏极电压为参考电压Vref；所述偏置电路模块，用于提供尾电流给所述运算放大器模块；所述运算放大器模块，用于调整所述V型曲线补偿结构模块和所述偏置电路模块的输出端电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人梧州学院，其通讯地址为：543002 广西壮族自治区梧州市富民三路82号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。