恭喜爱思开海力士有限公司赵成浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括嵌入式焊接连接结构的半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011009566.2，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权包括嵌入式焊接连接结构的半导体封装及其制造方法是由赵成浩设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括嵌入式焊接连接结构的半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及包括嵌入式焊接连接结构的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括：第一半导体芯片，其包括第一芯片主体部和设置在凹入第一芯片主体部的区域中的第一芯片后凸块；以及第二半导体芯片，其层叠在第一半导体芯片上，并且包括第二芯片主体部和从第二芯片主体部突出的第二芯片前凸块。第一芯片后凸块包括下金属层和设置在下金属层上的焊接层。第二芯片前凸块接合到焊接层。第二芯片前凸块被设置成在第二芯片前凸块和焊接层的接合表面上至少覆盖焊接层。
本发明授权包括嵌入式焊接连接结构的半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一芯片主体部和设置在凹入所述第一芯片主体部的凹入区域中的第一芯片后凸块；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片层叠在所述第一半导体芯片上，并且包括第二芯片主体部和从所述第二芯片主体部突出的第二芯片前凸块，其中，所述第一芯片后凸块包括下金属层和设置在所述下金属层上的焊接层，所述第二芯片前凸块接合到所述焊接层，并且所述第二芯片前凸块被设置成在所述第二芯片前凸块和所述焊接层的接合表面上至少覆盖所述焊接层，其中，所述半导体封装还包括聚合物粘合层，所述聚合物粘合层位于所述第一芯片主体部和所述第二芯片主体部之间，并且其中，所述焊接层与所述聚合物粘合层隔离。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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