恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许增升获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011005465.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由许增升;荆学珍;张浩;张田田;段超设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层；在第一介质层内形成第一导电层和位于第一导电层上的非晶化层，所述非晶化层的材料为非晶态的第一导电层的材料；在第一介质层上和非晶化层上形成第二介质层；在第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出部分非晶化层表面；在第一开口底部的非晶化层内形成第二开口，所述第一开口在衬底上的投影面积小于所述第二开口在衬底上的投影面积，且所述第一开口在衬底上的投影位于第二开口在衬底上的投影范围内。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层；在第一介质层内形成第一导电层和位于第一导电层上的非晶化层，所述非晶化层的材料为非晶态的第一导电层的材料；在第一介质层上和非晶化层上形成第二介质层；在第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出部分非晶化层表面；在第一开口底部的非晶化层内形成第二开口，所述第一开口在衬底上的投影面积小于所述第二开口在衬底上的投影面积，且所述第一开口在衬底上的投影位于第二开口在衬底上的投影范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号