恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈焕能获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447526B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010625725.5，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法是由陈焕能;廖文翔设计研发完成，并于2020-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构及其形成方法。一种制造所述半导体结构的方法包含：提供衬底；在所述衬底上方沉积第一电介质层；将波导附接到所述第一电介质层；沉积第二电介质层以横向包围所述波导；及在所述第二电介质层及所述波导上方形成第一导电部件及第二导电部件，其中所述第一导电部件及所述第二导电部件与所述波导接触。所述波导经配置以在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间传输电磁信号。
本发明授权用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上方沉积第一电介质层；将波导附接到载体；将所述波导附接到所述第一电介质层；对所述衬底、所述第一电介质层、所述波导及所述载体执行第一热操作；使所述载体脱离所述波导；在所述脱离之后，对所述衬底、所述第一电介质层及所述波导执行第二热操作；沉积第二电介质层以横向包围所述波导；及在所述第二电介质层及所述波导上方形成第一导电部件及第二导电部件，所述第一导电部件及所述第二导电部件与所述波导接触，其中所述波导经配置以在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间传输电磁信号。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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