买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院申请的专利氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113740387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010481770.8，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用是由张晓东;唐文博;何涛;张宝顺设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用。所述氧化镓气敏传感器包括：包括氧化镓纳米柱阵列和二维导电材料，所述氧化镓纳米柱阵列包括间隔分布的多根氧化镓纳米柱，所述氧化镓纳米柱站立设置，所述二维导电材料连续覆盖氧化镓纳米柱阵列，并且所述二维导电材料与氧化镓纳米柱阵列配合形成异质结，所述氧化镓纳米柱阵列、二维导电材料还分别与第一电极、第二电极电连接。本发明提供的氧化镓气敏传感器，包括多个垂直于导电衬底表面的氧化镓纳米柱，具有更高效的材料利用率，进而可以和更多的气体分子充分接触反应，有利于器件气敏性能的提升及其微型化进程。

本发明授权氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓气敏传感器，其特征在于包括氧化镓纳米柱阵列和二维导电材料，所述氧化镓纳米柱阵列包括间隔分布的多根氧化镓纳米柱，所述氧化镓纳米柱站立设置，所述氧化镓纳米柱的直径为10-1000nm，所述氧化镓纳米柱的长度为10-1000nm，相邻两根氧化镓纳米柱之间的间距为10-1000nm，所述氧化镓纳米柱为β-Ga2O3纳米柱，所述二维导电材料连续覆盖氧化镓纳米柱阵列，所述二维导电材料的厚度为1nm-1μm，所述氧化镓纳米柱阵列是n型掺杂的，所述氧化镓纳米柱阵列的n型掺杂浓度为1×1015-1021cm-3，所述二维导电材料是p型掺杂的，所述二维导电材料的p型掺杂浓度为1×1015-1021cm-3，所述二维导电材料与所述氧化镓纳米柱阵列形成范德华异质结，所述氧化镓纳米柱阵列、二维导电材料还分别与第一电极、第二电极电连接，所述二维导电材料包括石墨烯和二硫化钼中的任意一种。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。