恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010270724.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的形成方法是由张海洋;唐龙娟;杨晨曦设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成若干核芯层，相邻所述核芯层之间具有第一开口和第二开口，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度；在待刻蚀层上和若干所述核芯层上形成第一牺牲材料层；在所述第一开口内的所述第一牺牲材料层上形成第二牺牲层，在第一开口内形成牺牲结构；形成牺牲结构之后，去除所述核芯层；去除核芯层之后，在牺牲结构侧壁形成侧墙，形成侧墙之后，去除所述牺牲结构。所述方法简化了工艺流程，节省了生产成本。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成若干核芯层，相邻所述核芯层之间具有第一开口和第二开口，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度；在待刻蚀层上和若干所述核芯层上形成第一牺牲材料层；在所述第一开口内的所述第一牺牲材料层上形成第二牺牲层，在第一开口内形成牺牲结构，所述牺牲结构包括位于第一开口内壁表面的初始第一牺牲层以及位于初始第一牺牲层表面的第二牺牲层，所述第二牺牲层填充满所述第一开口；形成牺牲结构之后，去除所述核芯层；去除核芯层之后，在牺牲结构侧壁形成侧墙；形成侧墙之后，去除所述牺牲结构；去除所述牺牲结构之后，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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