恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李苓玮获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装结构形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010241337.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权芯片封装结构形成方法是由李苓玮;张容华;黄震麟设计研发完成，并于2020-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种芯片封装结构形成方法。此方法包括在第一基板中形成导孔结构。此方法包括将芯片接合到第一基板的第一表面。此方法包括在第一基板的第二表面上方形成阻障层。此方法包括在阻障层上方形成第一绝缘层。此方法包括在第一绝缘层上方以及在第一开口、第二开口、第三开口中形成导电垫。导电垫从导孔结构连续地延伸到第三开口中。此方法包括在第三开口中的导电垫上方形成导电凸块。
本发明授权芯片封装结构形成方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构形成方法，包括：在一第一基板中形成一导孔结构；将一芯片接合到该第一基板的一第一表面；在该第一基板的一第二表面上方形成一阻障层，其中该阻障层直接接触该第一基板，且该阻障层具有露出该导孔结构的一第一开口；在该阻障层上方形成一第一绝缘层，其中该第一绝缘层具有一第二开口以及一第三开口，该第二开口位在该第一开口上方并且露出该导孔结构，该第三开口部分地露出该阻障层，且该阻障层比该第一绝缘层薄；在该第一绝缘层上方以及在该第一开口、该第二开口、该第三开口中形成一导电垫，其中该导电垫从该导孔结构连续地延伸到该第三开口中；以及在该第三开口中的该导电垫上方形成一导电凸块。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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