恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所王英民获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利泡生法生长氧化镓单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119221102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411775776.0，技术领域涉及：C30B17/00；该发明授权泡生法生长氧化镓单晶的方法是由王英民;霍晓青;周金杰;张胜男;董增印;李贺;张嵩;程红娟;赖占平设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本泡生法生长氧化镓单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种泡生法生长氧化镓单晶的方法，所述泡生法生长氧化镓单晶的方法包括S01，装炉：向坩埚中装入重量为M1氧化镓原料，纯度5N，把装有原料的坩埚放入单晶生长炉中；在坩埚上方间隔放置若干个保温屏；顶端装[010]晶向的籽晶，关闭单晶生长炉门；S02，升温化料：升温并保温至氧化镓原料完全熔化；S03，引晶生长；S04，降温取晶：生长完成后，将晶体温度降至室温，取出晶体。本发明提供的泡生法生长氧化镓单晶的方法，设置保温屏后，可以阻挡原料挥发气体流动速度，降低并稳定热场轴向温度梯度，更有利于优化泡生法氧化镓晶体生长质量。
本发明授权泡生法生长氧化镓单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种泡生法生长氧化镓单晶的方法，其特征在于，包括：S01，装炉：向坩埚中装入重量为M1氧化镓原料，纯度5N，把装有原料的坩埚放入单晶生长炉中；在坩埚上方间隔放置三个保温屏，每个所述保温屏上均开设有避让孔和多个通气孔，每个所述保温屏上的所述避让孔对齐设置，用来避让籽晶；相邻两个所述保温屏上的通气孔错位设置；顶端装[010]晶向的籽晶，关闭单晶生长炉门；S02，升温化料：升温并保温至氧化镓原料完全熔化；S03，引晶生长；S04，降温取晶：生长完成后，将晶体温度降至室温，取出晶体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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