恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所李贺获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411774436.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片是由李贺;董增印;王英民;程红娟;张嵩;王双设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片。该方法包括：将（100）面氧化镓衬底放置在反应腔室内，通入第一预设流量的载气，设置反应腔室内的压力为第一预设压力，并升温至第一预设温度；通入第二预设流量的氢气，对（100）面氧化镓衬底进行预处理；设置反应腔室内的压力为第二预设压力，并将源区升温至第二预设温度，将生长区升温至第三预设温度；在反应腔室内通入第三预设流量的氯化氢、第四预设流量的氧气和第五预设流量的氢气，进行气相外延，以在（100）面氧化镓衬底表面制备（100）面氧化镓外延膜。本发明能够促进台阶流生长，降低多晶颗粒聚集，减少三维岛状生长，能够提高外延膜表面连贯性与质量。
本发明授权氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓外延片制备方法，其特征在于，包括：将（100）面氧化镓衬底放置在反应腔室内，通入第一预设流量的载气，设置所述反应腔室内的压力为第一预设压力，并升温至第一预设温度；通入第二预设流量的氢气，对所述（100）面氧化镓衬底进行预处理；设置所述反应腔室内的压力为第二预设压力，并将源区升温至第二预设温度，将生长区升温至第三预设温度；在所述反应腔室内通入第三预设流量的氯化氢、第四预设流量的氧气和第五预设流量的氢气，进行HVPE气相外延，以在所述（100）面氧化镓衬底表面制备（100）面氧化镓外延膜。
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