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龙图腾网恭喜苏州大学申请的专利金属基传感器静态性能测试装置及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117589366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311377075.7，技术领域涉及：G01L27/00；该发明授权金属基传感器静态性能测试装置及系统是由王春举;钱达;陈立国;贺海东;孙立宁设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属基传感器静态性能测试装置及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及金属基传感器静态性能测试装置及系统，包括第一套筒、第二套筒、压头和第一传递介质；第一套筒包括第一端面，第一端面上设置有容置孔，容置孔的孔底设置有贯通第一套筒的第一筒孔；第二套筒包括第二端面，第二端面与第一端面抵接；第二端面上开设有贯通第二套筒的第二筒孔，第二筒孔与第一筒孔同轴设置；压头能够移动的设置在第二筒孔内；第一传递介质设置在第二筒孔内。本发明所述的金属基传感器静态性能测试装置及系统，通过第一传递介质传递压头的压力并形成密封，对密封性要求低，具有更高的安全性，操作更简单、测试成本更低。

本发明授权金属基传感器静态性能测试装置及系统在权利要求书中公布了：1.一种金属基传感器静态性能测试装置，用于金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的静态性能测试，其特征在于，该金属基传感器静态性能测试装置包括：第一套筒，所述第一套筒包括第一端面，所述第一端面上设置有容置孔，所述容置孔用于容纳所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器，所述容置孔的孔径与所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的轮廓外径一致，所述容置孔的孔底设置有贯通所述第一套筒的第一筒孔，所述第一筒孔的孔径与所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的封装外径一致；第二套筒，所述第二套筒包括第二端面，所述第二端面与所述第一端面抵接、形成所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的限位；所述第二端面上开设有贯通所述第二套筒的第二筒孔，所述第二筒孔的孔径与所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的封装外径一致，所述第二筒孔与所述第一筒孔同轴设置；压头，所述压头能够移动的设置在所述第二筒孔内，所述压头用于为所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器施加压力；第一传递介质，所述第一传递介质设置在所述第二筒孔内，所述第一传递介质用于传递所述压头的压力至所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器，并形成所述第二筒孔的密封；第二传递介质，所述第二传递介质设置在所述第一传递介质和所述压头之间，所述第二传递介质用于将所述压头的压力均匀的传递至所述第一传递介质，并形成所述第一传递介质的密封；所述第一传递介质的硬度小于所述第二传递介质的硬度。

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