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龙图腾网恭喜莱斯能特(苏州)科技有限公司申请的专利一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117342517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311312023.1，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法是由王兴阳;薛维佳;韩传仁设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及流量传感器技术领域，特别是涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，包括基底、氮化硅层、氧化硅层、金属层、接触孔和钝化保护层，由此形成上下层金属导通的纵向多层结构，三层金属层中均设置测温电阻，最上层氮化硅层中间部位金属为发热电阻；本发明将测温电阻的结构设置为纵向垂直延伸的多层结构；通过采用多层结构可以有效缩小膜区面积，从而减小传感器的尺寸。此外，多层结构可以提供更好的机械稳定性和结构强度，使得传感器更加耐用和可靠。在一些特殊环境下，如高温、高压或振动环境中，这种多层结构可以更好地抵抗外部影响，提供更长久的工作和使用寿命。

本发明授权一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS热膜式流量传感器芯片，其特征在于，包括：基底，背面中部通过腐蚀形成有背腔，背腔两端形成支撑端；氮化硅层，设置两层，分别位于基底的正面和背面；氧化硅层，沉积在三层金属层之间，作为各金属层之间的支撑层，且使各层金属测温电阻互不干扰且通过接触孔互相连通；金属层，在氮化硅层上及氧化硅层上通过溅射、刻蚀形成图案，并合金化处理后形成相应的电阻；接触孔，形成于上下三层金属层连通处的氮化硅层上；接触孔通过光刻和刻蚀形成，且接触孔中填充用于导电的金属；钝化保护层，形成于第三层金属层上，保护金属层并形成金属焊盘；金属层包括第一金属层、第二金属层和第三金属层；氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层；第一金属层在基底正面的氮化硅层上溅射而成；第一氧化硅层设置在第一金属层上；第二金属层、第二氧化硅层以及第三金属层依次叠加设置在第一氧化硅层上；第一金属层、第二金属层以及第三金属层的指定位置通过接触孔对准连通；第三金属层上的接触孔通过金属导线引出至引脚窗口；第一金属层、第二金属层和第三金属层中均设置测温电阻；第三金属层中部还设置发热电阻。

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