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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置以及半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110971529.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置以及半导体模块是由下条亮平;坂野竜则;加藤贵大设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体模块在说明书摘要公布了：本发明公开半导体装置以及半导体模块。提供能够降低损耗的半导体装置以及半导体模块。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、半导体构件、第1绝缘构件以及第2绝缘构件。半导体构件设置于第2电极与第1电极之间。第1半导体构件包括第1～第7半导体区域。第4半导体区域具有第1杂质浓度、第1载流子浓度以及第4半导体区域的体积相对于半导体构件的体积的第1体积比。第7半导体区域具有比第1杂质浓度高的第2导电类型的第2杂质浓度、比第1载流子浓度高的第2导电类型的第2载流子浓度以及比第1体积比高的第2体积比中的至少任意一个。第2体积比是第7半导体区域相对于半导体构件的体积的体积比。

本发明授权半导体装置以及半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第2电极向所述第1电极的方向沿着第1方向；半导体构件，在所述第1方向上设置于所述第2电极与所述第1电极之间，所述半导体构件包括第1导电类型的第1半导体区域、第2导电类型的第2半导体区域、所述第1导电类型的第3半导体区域、所述第2导电类型的第4半导体区域、所述第2导电类型的第5半导体区域、所述第1导电类型的第6半导体区域以及所述第2导电类型的第7半导体区域，所述第2导电类型的第2半导体区域设置于所述第1半导体区域与所述第1电极之间，所述第1导电类型的第3半导体区域设置于所述第2半导体区域与所述第1电极之间，所述第2导电类型的第4半导体区域设置于所述第2半导体区域与所述第1电极之间，所述第4半导体区域具有所述第2导电类型的第1杂质浓度、所述第2导电类型的第1载流子浓度以及所述第4半导体区域的体积相对于所述半导体构件的体积的第1体积比，所述第2导电类型的第5半导体区域设置于所述第1半导体区域与所述第2电极之间，所述第1导电类型的第6半导体区域设置于所述第5半导体区域与所述第2电极之间，所述第2导电类型的第7半导体区域设置于所述第5半导体区域与所述第2电极之间，所述第7半导体区域具有比所述第1杂质浓度高的所述第2导电类型的第2杂质浓度、比所述第1载流子浓度高的所述第2导电类型的第2载流子浓度以及比所述第1体积比高的第2体积比中的至少任意一个，所述第2体积比是所述第7半导体区域相对于所述半导体构件的所述体积的体积比；第3电极，从所述第3电极的一部分向所述第2半导体区域的第2方向与所述第1方向交叉，所述第3半导体区域中的至少一部分处于所述第2方向上的所述第3电极的一部分与所述第4半导体区域之间的第1位置以及所述第2方向上的所述第3电极的所述一部分与所述第2半导体区域的一部分之间的第2位置中的至少任意一个位置；第4电极，从所述第4电极的一部分向所述第5半导体区域的第3方向与所述第1方向交叉，所述第6半导体区域中的至少一部分处于所述第3方向上的所述第4电极的一部分与所述第7半导体区域之间的第3位置以及所述第3方向上的所述第4电极的所述一部分与所述第5半导体区域的一部分之间的第4位置中的至少任意一个位置；第1绝缘构件，所述第1绝缘构件中的至少一部分处于所述第3电极与所述半导体构件之间；以及第2绝缘构件，所述第2绝缘构件中的至少一部分处于所述第4电极与所述半导体构件之间，所述第7半导体区域的沿着所述第1方向的第2厚度比所述第4半导体区域的所述第1方向的第1厚度厚。

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