买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜华润微电子(重庆)有限公司申请的专利功率晶体管测试系统和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115343588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110526808.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权功率晶体管测试系统和测试方法是由唐开锋;马荣耀;丁继;陈龙;徐丹丹;赵伟能;邓旻熙设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率晶体管测试系统和测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三NMOS管，第三驱动模块，第四NMOS管及第四驱动模块；功率晶体管的测试系统可以测试功率晶体管或并联晶体管的体二极管反向恢复特性、大电流开启和大电流关断特性或直通上电耐抗短路特性，也可以测试高低温对上述特性的影响；本发明的功率晶体管的测试系统的电路参数可调整，可测试可调参数对功率晶体管特性的影响；位于下半桥的晶体管，不易受外界干扰，方便测试。

本发明授权功率晶体管测试系统和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种功率晶体管测试系统，其特征在于，所述功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一开关，第二开关，第一电感，第二电感，第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述等效寄生参数模块串联后并联于所述供电电源的两端；所述第一驱动模块连接于所述第一NMOS管的栅极，用于控制所述第一NMOS管的状态；所述第一开关和所述第一电感串联后并联于所述第一NMOS管的源极和漏极之间；所述第二驱动模块连接于所述第二NMOS管的栅极，用于控制所述第二NMOS管的状态；所述第二开关和所述第二电感串联后并联于所述第二NMOS管的源极和漏极之间；所述功率晶体管测试系统通过对所述等效寄生参数模块，所述第一驱动模块，所述第二驱动模块，所述供电电源，所述第一电感，所述第二电感中的至少一个参数进行调整来检测调整的参数对NMOS管特性的影响。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华润微电子(重庆)有限公司，其通讯地址为：401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。