恭喜苏州迈英仕精密机械有限公司肖和平获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州迈英仕精密机械有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510187940.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及其制造方法是由肖和平;孔彦慧;宋红亮设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种高性能、低功耗且结构优化的半导体器件，包括缓冲层、沟道层、势垒层、接触层以及源极、漏极和栅极电极。缓冲层提供晶格匹配与热稳定性，沟道层具有高电子迁移率和饱和速度，势垒层通过调整能带结构优化器件性能。在势垒层中引入了完全穿透至沟道层上表面的第一沟槽和第二沟槽，增强了栅极对沟道区域的控制能力，同时这种沟槽设计与接触层边缘投影重叠，增强了栅极边缘的电场效应。此外，采用多层缓冲策略优化层间应力，通过优化各功能层厚度进一步提升器件性能。制造工艺包括基底准备、层生长、刻蚀处理、电极形成及钝化层沉积等步骤，本申请的半导体器件通过优化结构设计和制造工艺，实现了高性能、低功耗和高度可靠性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：缓冲层；沟道层，形成在所述缓冲层上；势垒层，形成在所述沟道层上；接触层，形成在所述势垒层上；源极电极、漏极电极及栅极电极，所述栅极电极形成在所述接触层上，所述源极电极、所述漏极电极延伸至所述缓冲层内；其中，所述势垒层中具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽及所述第二沟槽贯穿所述势垒层，所述第一沟槽一侧边的垂直投影与所述接触层一侧边的垂直投影重叠，所述第二沟槽一侧边的垂直投影与所述接触层另一侧边的垂直投影重叠；所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度在2至4µm的范围内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州迈英仕精密机械有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区春辉路5号跨春工业坊3A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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