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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利掩膜版结构和光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411788289.8，技术领域涉及：G03F1/42；该发明授权掩膜版结构和光刻方法是由张新秀;魏姣阳;余仁;单闯;叶伟设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜版结构和光刻方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种掩膜版结构和光刻方法。掩膜版结构包括：功能区，用于通过光刻在晶片的中间区域形成图形化半导体结构；第一切割道区，环绕功能区设置，第一切割道区至少包括第一图案，第一图案用于在光刻形成图形化半导体结构时对目标光刻位置进行定位；第二切割道区，位于第一切割道区的第一外侧，第二切割道区包括第二图案，第二图案用于通过光刻在晶片的第一边缘形成第一定位标记。本实施例提供的掩膜版结构能够同时应用于图形化半导体结构的光刻和晶片边缘处第一定位标记的光刻，减少对于第一定位标记的掩膜版数量，降低成本，且减少数据处理流程和工艺次数，缩短时间。

本发明授权掩膜版结构和光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种使用掩膜版结构的光刻方法，其特征在于，所述掩膜版结构包括：功能区，用于通过光刻在晶片的中间区域形成图形化半导体结构；第一切割道区，环绕所述功能区设置，所述第一切割道区至少包括第一图案，所述第一图案用于在光刻形成图形化半导体结构时对目标光刻位置进行定位；第一图案用于在晶片上形成第三定位标记，第三定位标记用于在多次光刻形成多层图形化半导体时进行定位，能够在每次光刻工艺中保证与前一次形成的图形化半导体结构层位置对应，以使各层图形化半导体对齐；第二切割道区，位于所述第一切割道区的第一外侧，所述第二切割道区包括第二图案，所述第二图案用于通过光刻在晶片的第一边缘形成第一定位标记，以使当掩膜版结构位于晶片的第一边缘位置时能够同时形成第一图形化半导体结构和第一定位标记；所述第一定位标记用于对晶圆位置进行定位，以识别晶圆位置；所述方法包括以下步骤：以所述第二切割道区为遮挡区，所述功能区和所述第一切割道区为见光区，通过所述掩膜版结构进行位置改变，在晶片的中间区域形成多个图形化半导体结构；以所述第二切割道区为见光区，在所述晶片的第一边缘形成第一定位标记。

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