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龙图腾网恭喜伯恩半导体(深圳)有限公司申请的专利一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110718545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810761857.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件是由张猛;梁令荣设计研发完成，并于2018-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构，为主放电通道；TVS管D4提供开启电压。本发明设计合理，实现的单向大骤回SCR结构的保护器件，通过双沟槽工艺，实现了极低电容的SCR结构保护器件，能够满足当前低残压保护需求，且该器件具有低电容、低钳位和大浪涌通流能力等特点。

本发明授权一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件在权利要求书中公布了：1.一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，其特征在于：包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构，为主放电通道；TVS管D4提供开启电压；所述TVS管自下而上依次由N型衬底、N+扩区和P+扩区构成，其中TVS管的阴极为N+扩区，N+扩区位于中央位置；P+扩区用于制作TVS管的阳极；所述主放电通道自下而上依次由两个衬底N+Deep区、N-Epi区、P+基区和N+发射区构成；两个衬底N+Deep区设置在N-Epi区的两侧；P+基区的位置在N+发射区的上方，并在围绕TVS管的阳极中心位置等距离的地方留出能让门极触发时阴极短路孔上具有相同电位的阴极短路孔；上述器件为双沟槽工艺器件，沟槽提供器件隔离，沟槽用于连接衬底与N+IOS以及表面P+区；该器件是外延型低容器件，N-Epi为器件提供低容支持；该器件是单向器件，可通过阵列原包结构构成双路、多路保护器件；低残压ESD浪涌防护器件的制作工艺是：高参杂的P+衬底材料上通过注入退火方式，形成N+埋层区；生长外延层N-Epi，通过注入退火形成N+Deep区，再通过注入退火方式，分别形成N+扩区和P+扩区；深槽刻蚀形成沟槽，沟槽内填充二氧化硅，再通过湿法腐蚀工艺，形成台面沟槽，淀积金属层形成金属互连，使得金属与衬底N+Deep区、P+区以及N-Epi区连接。

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