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龙图腾网获悉成都能海昇芯科技有限责任公司申请的专利一种BOOST电路及具有该BOOST电路的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118826426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410807127.8，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种BOOST电路及具有该BOOST电路的设备是由叶约汉;王震设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BOOST电路及具有该BOOST电路的设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种BOOST电路及具有该BOOST电路的设备，属于电子技术领域。所述BOOST电路包括：主电路模块，用于根据第一输入电压向储能元件充电，以及利用储能元件放电生成高于所述第一输入电压的输出电压；开关模块，用于在控制信号的作用下控制所述主电路模块在充电模式和放电模式之间的切换；控制模块，用于根据第一使能信号确定输出由电阻反馈单元或开关电容反馈单元生成的反馈电压，并确定反馈电压与基准信号的差值信号，以及根据差值信号和表征所述开关模块的电流信号的采样电压信号生成所述控制信号。本发明减小了反馈网络的功耗和芯片的面积。

本发明授权一种BOOST电路及具有该BOOST电路的设备在权利要求书中公布了：1.一种BOOST电路，其特征在于，包括：主电路模块，用于根据第一输入电压向储能元件充电，以及利用储能元件放电生成高于所述第一输入电压的输出电压；开关模块，用于在控制信号的作用下控制所述主电路模块在充电模式和放电模式之间的切换；控制模块，用于根据第一使能信号确定输出由电阻反馈单元或开关电容反馈单元生成的反馈电压，并确定反馈电压与基准信号的差值信号，以及根据差值信号和表征所述开关模块的电流信号的采样电压信号生成所述控制信号；BOOST电路具有正常模式和低功耗模式两种工作模式，当需要BOOST电路处于正常模式时，采用由电阻反馈单元生成的反馈电压，当需要BOOST电路处于低功耗模式时，采用由开关电容反馈单元生成的反馈电压；所述开关电容反馈单元包括：第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极接第一输入电压，所述第一NMOS管的源极和漏极经第一开关连接，所述第一NMOS管的栅极与其漏极连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极连接；第三NMOS管，所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极和第三NMOS管的源极连接于第二公共点，所述第三NMOS管的栅极接时钟控制信号；第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接；第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极连接第三公共点，所述第三公共点接钳位电压；第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极与其漏极连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极与第一PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的源极与第一PMOS管的源极连接于第四公共点，所述第四公共点接第二输入电压；第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与第一PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的栅极与其漏极连接；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极与第二PMOS管的漏极连接，所述第四PMOS管的栅极与第三PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极连接于第五公共点；第二电容，所述第二电容的第一端与所述第五公共点连接，所述第二电容的第二端经第二开关接共模电压；第二放大器，所述第二放大器的反相输入端经第三开关与第二电容的第二端连接，所述第二放大器的输出端经第四开关与其反相输入端连接，所述第二放大器的正相输入端接共模电压；第三电容，所述第三电容的第一端与第二放大器的反相输入端连接，所述第三电容的第二端经第五开关与第二放大器的输出端连接，所述第三电容的第二端经第六开关接地；第四电容，所述第四电容的第一端经第七开关与第二放大器的输出端连接，所述第四电容的第一端被配置为开关电容反馈单元的输出端，所述第四电容的第二端接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都能海昇芯科技有限责任公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区合作路89号25栋2楼附236号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。