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龙图腾网恭喜深圳芯能半导体技术有限公司申请的专利一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117650179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311611439.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法是由马献;刘杰设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，该屏蔽栅场效应晶体管包括：衬底层；外延层；体区；第一沟槽；源区；第二沟槽；肖特基接触势垒金属。本发明通过在屏蔽栅场效应晶体管中集成肖特基势垒二极管，即在屏蔽栅场效应晶体管旁边设置若干个第二沟槽，各个第二沟槽中设置有栅极结构，在屏蔽栅场效应晶体管通电工作时，将肖特基接触势垒金属、栅极结构和分布于栅极结构周围的第一导电类型的外延层之间进行短接形成MOS结构屏蔽电场，降低了肖特基二极管的反向漏电流，从而有效降低了续流二极管的导通电压，进而降低了导通损耗。

本发明授权一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底层；第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底层上；第二导电类型的体区，所述体区位于所述外延层上的第一区域上；若干个第一沟槽，各个所述第一沟槽沿深度方向贯穿所述体区，并延伸至所述外延层上的第一区域内，各个所述第一沟槽中设置有屏蔽栅结构和控制栅结构，所述控制栅结构位于所述屏蔽栅结构的上方；第一导电类型的源区，所述源区位于所述体区上；若干个第二沟槽，各个所述第二沟槽沿深度方向延伸至所述外延层上的第二区域内，各个所述第二沟槽中设置有栅极结构；肖特基接触势垒金属，所述肖特基接触势垒金属位于所述外延层上的第二区域以及各个所述栅极结构上；在所述屏蔽栅场效应晶体管通电工作时，所述肖特基接触势垒金属、所述栅极结构和分布于所述栅极结构周围的第一导电类型的外延层之间进行短接形成MOS结构屏蔽电场。

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