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龙图腾网恭喜南京芯干线科技有限公司申请的专利一种集成GaN的IGBT器件制备方法及IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117198876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311392906.8，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种集成GaN的IGBT器件制备方法及IGBT器件是由李进吉;傅玥;孔令涛设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成GaN的IGBT器件制备方法及IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成GaN的IGBT器件制备方法及IGBT器件，包括：制作IGBT的正面结构，对硅晶圆的正面进行沟槽刻蚀，形成第一沟槽；在第一沟槽内生长栅极氧化层；在第一沟槽内进行多晶硅栅填充，形成gate电极；在第一沟槽的外侧进行离子注入，形成N型重掺杂区和形成P型体区；在硅晶圆上进行正面ILD氧化层生长，正面金属沉积并覆盖其表面，形成第二金属层，即发射极；将硅晶圆反转，在硅晶圆背面进行离子注入，形成P型集电极区，形成IGBT结构；在反转的硅晶圆表面生长GaN层和AlGaN层，形成AlGaNGaN界面；进行背面金属沉积，形成第一金属层，即集电极。本发明使得IGBT器件使用中无需在外部电路中封装续流二极管，避免引入额外的寄生电感和寄生电阻，减少了封装面积。

本发明授权一种集成GaN的IGBT器件制备方法及IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种集成GaN的IGBT器件制备方法，其特征在于：包括：步骤S1,制作IGBT的正面结构，对硅晶圆的正面进行沟槽刻蚀，形成第一沟槽2；步骤S2,在第一沟槽内生长栅极氧化层；步骤S3，所述栅极氧化层形成后，在第一沟槽内位于栅极氧化层的内侧进行多晶硅栅填充，形成gate电极，并且所述多晶硅珊的表面与所述硅晶圆的表面平齐；步骤S4，沿着第一沟槽的边界在所述第一沟槽的外侧进行掺杂离子注入，形成N型重掺杂区；所述N型重掺杂区形成之后再进行离子注入，形成P型体区；步骤S5,在硅晶圆上进行正面ILD氧化层生长，然后在ILD氧化层的正面金属沉积并覆盖其表面，形成第二金属层，即发射极；步骤S6,将硅晶圆反转，在硅晶圆背面进行离子注入，形成P型集电极区，形成IGBT结构；步骤S7,在反转的硅晶圆表面且位于所述P型集电极区的内侧生长GaN层和AlGaN层，形成AlGaNGaN界面，所述GaN层和AlGaN层的接触界面位于竖直方向，所述P型集电极区与GaN层和AlGaN层接触；步骤S8，进行背面金属沉积，形成第一金属层，即集电极。

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