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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210068308.4，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权一种半导体封装结构及其形成方法是由庄凌艺设计研发完成，并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法，其中，所述半导体封装结构包括：第一半导体芯片；所述第一半导体芯片的表面形成有多个第一接触垫；介质层，位于所述第一半导体芯片上；所述介质层内形成有多个第二接触垫；第二半导体芯片堆叠结构，位于所述介质层上；所述第二半导体芯片堆叠结构包括依次堆叠的多层第二半导体芯片；第一层第二半导体芯片的表面形成有多个第三接触垫；所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接触垫、所述第二接触垫和所述第三接触垫一一对应相互键合；其中，每一个所述第二接触垫的宽度与其相对应的第一接触垫，和或，第三接触垫的宽度不一致。

本发明授权一种半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一半导体芯片；所述第一半导体芯片的表面形成有多个第一接触垫；多个硅通孔，各所述硅通孔贯穿所述第一半导体芯片，各所述硅通孔的一侧表面上相应设置有所述第一接触垫；介质层，位于所述第一半导体芯片上；所述介质层内形成有多个第二接触垫；第二半导体芯片堆叠结构，位于所述介质层上；所述第二半导体芯片堆叠结构包括依次堆叠的多层第二半导体芯片；第一层第二半导体芯片的表面形成有多个第三接触垫；所述第一半导体芯片和所述第一层第二半导体芯片通过所述第一接触垫、所述第二接触垫和所述第三接触垫一一对应相互键合；其中，所述第一接触垫包括第一个第一接触垫和第二个第一接触垫；所述第二接触垫包括与所述第一个第一接触垫对应的第一个第二接触垫和与所述第二个第一接触垫对应的第二个第二接触垫，所述第一个第二接触垫的宽度大于所述第二个第二接触垫的宽度；所述第三接触垫包括与所述第一个第一接触垫对应的第一个第三接触垫和与所述第二个第一接触垫对应的第二个第三接触垫；所述第一个第二接触垫的宽度大于第一个第一接触垫和第一个第三接触垫的宽度；所述第二个第二接触垫的宽度小于第二个第一接触垫和第二个第三接触垫的宽度；所述第一个第一接触垫与所述第一个第三接触垫的宽度一致，所述第二个第一接触垫与所述第二个第三接触垫的宽度一致。

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