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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110703175.9，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案是由H-Y·陈;Y·董设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案。存储器装置中的控制逻辑在存储器阵列上起始编程操作，所述编程操作包括在编程阶段之前发生的预增压阶段。所述控制逻辑致使在所述预增压阶段期间将第一正预增压电压施加到所述存储器阵列的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的相应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的选定字线。所述控制逻辑致使在所述预增压阶段期间将第二正预增压电压施加到所述数据块的第二多个字线，其中所述第二多个字线邻近于所述第一多个字线，其中所述第二多个字线中的每一个耦合到所述存储器单元串中的第二多个存储器单元的相应存储器单元，且其中所述第二正预增压电压具有比所述第一正预增压电压低的量值。所述控制逻辑进一步致使在所述预增压阶段期间在所述第一正预增压电压斜降到接地电压之前所述第二正预增压电压斜降到所述接地电压。

本发明授权存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下的操作：在所述存储器阵列上起始编程操作，所述编程操作包括在编程阶段之前发生的预增压阶段；致使在所述预增压阶段期间将第一正预增压电压施加到所述存储器阵列的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的相应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的选定字线；致使在所述预增压阶段期间将第二正预增压电压施加到所述数据块的第二多个字线，其中所述第二多个字线邻近于所述第一多个字线，其中所述第二多个字线中的每一个耦合到所述存储器单元串中的第二多个存储器单元的相应存储器单元，且其中所述第二正预增压电压具有比所述第一正预增压电压低的量值；以及致使在所述预增压阶段期间在所述第一正预增压电压斜降到接地电压之前，所述第二正预增压电压斜降到所述接地电压。

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