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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种晶圆表面的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010875112.7，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权一种晶圆表面的处理方法是由刘启军;卢吴越;王志成;龚芷玉;郑昌伟;张文杰;丁杰钦;李诚瞻;罗海辉设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆表面的处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆表面的处理方法，通过在所述晶圆表面进行减薄工艺处理期间，先采用第一类研磨工艺进行研磨，使得所述第二区域的减薄厚度大于所述第一区域的减薄厚度，然后采用第二类研磨工艺仅对所述第一区域进行研磨，从而对所述第二表面进行了区域选择性应力释放，使所述第二表面的应力分布得到互补，进而显著性改善SiC晶圆减薄后的翘曲度，减小翘曲度对后续工艺的影响。

本发明授权一种晶圆表面的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面的处理方法，其特征在于，包括：步骤1：提供待处理的晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面之间的距离为所述晶圆的原始厚度，步骤2：在所述晶圆的第一表面上覆盖保护层，步骤3：对所述第二表面进行第一类研磨工艺，以减薄所述晶圆的厚度，在进行完所述第一类研磨工艺后，所述晶圆的第一区域的第一厚度大于所述晶圆的第二区域的第二厚度，且所述第一厚度小于所述原始厚度，步骤4：对位于所述第一区域中的所述第二表面进行第二类研磨工艺，以继续减薄所述晶圆的厚度，在进行完所述第二类研磨工艺后，所述第一区域的第三厚度小于所述第一厚度且大于所述第二厚度；还包括：步骤5：对位于所述第一区域中的所述第二表面进行清洗工艺，所述清洗工艺的步骤包括：步骤51：提供清洗舱室，并将所述晶圆固定在清洗舱室中，使得所述晶圆与所述清洗舱室构成封闭的空间体，所述晶圆的第一表面位于所述空间体的内表面，位于所述第一区域中的所述第二表面位于所述空间体的外表面，步骤52：在位于所述第一区域中的所述第二表面上喷氧化剂，以在位于所述第一区域中的所述第二表面上形成氧化层，步骤53：在所述氧化层上喷腐蚀剂，以从位于所述第一区域中的所述第二表面上去除所述氧化层，步骤54：在位于所述第一区域中的所述第二表面上喷清洗夜，以清洗位于所述第一区域中的所述第二表面上的化学物质，步骤55：烘干所述晶圆。

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