恭喜恩特格里斯公司D·M·埃默特获国家专利权
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龙图腾网恭喜恩特格里斯公司申请的专利VI族前驱物化合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113490764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080017228.5，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权VI族前驱物化合物是由D·M·埃默特;T·H·鲍姆;R·小赖特设计研发完成，并于2020-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本VI族前驱物化合物在说明书摘要公布了：本发明提供用于制备各种VI族前驱物化合物的简便方法，所述VI族前驱物化合物可用于将这类VI族金属气相沉积于固体衬底、尤其微电子半导体装置衬底上。所述方法提供获得这类挥发性材料的有效手段，然后所述挥发性材料可作为要沉积于所述衬底上的含钼、铬或钨的材料的来源。另外，本发明提供用于将所述化合物气相沉积于微电子装置衬底上的方法。
本发明授权VI族前驱物化合物在权利要求书中公布了：1.一种在衬底上形成材料的方法，其包含使所述衬底与式I化合物接触 其中M为钼，X为氯，并且L1和L2为乙腈；和在气相沉积条件下将含钼的材料沉积于所述衬底上，其中所述式I化合物具有斜方晶系且单位晶胞尺寸为 α＝90° β＝90° γ＝90°。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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