恭喜美光科技公司G·S·桑胡获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113544849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080019662.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法是由G·S·桑胡;J·A·斯迈思设计研发完成，并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法在说明书摘要公布了：一种用于形成集成电路系统的方法包括形成包括导电材料的多个导电通路。所述导电通路通过中间材料相对于彼此间隔。在所述通路的所述导电材料顶部上及在介于所述通路之间的所述中间材料顶部上形成不连续材料。在所述不连续材料顶部上、直接抵靠所述不连续材料及在所述不连续材料之间并且在所述通路的所述导电材料顶部上及直接抵靠所述通路的所述导电材料形成金属材料。所述金属材料具有与所述不连续材料的成分不同的成分并且在介于所述通路之间的所述中间材料之上。形成在其之下具有不连续材料的所述金属材料以包括在介于所述通路之间并且直接抵靠所述通路中的个别者的所述中间材料顶部上的导电线。揭示独立于方法的结构。
本发明授权集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成集成电路系统的方法，其包括：形成包括导电材料的多个导电通路，所述导电通路通过中间材料相对于彼此间隔；在所述导电通路的所述导电材料顶部上及在介于所述导电通路之间的所述中间材料顶部上形成不连续材料；在所述不连续材料顶部上、直接抵靠所述不连续材料及在所述不连续材料之间并且在所述导电通路的所述导电材料顶部上及直接抵靠所述导电通路的所述导电材料形成金属材料，所述金属材料具有与所述不连续材料的成分不同的成分并且在介于所述导电通路之间的所述中间材料之上；及形成在其之下具有不连续材料的所述金属材料以包括在介于所述导电通路之间并且直接抵靠所述导电通路中的个别者的所述中间材料顶部上的导电线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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