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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510179826.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由宋聪强;施平;徐锐;刘镇设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的形成方法，通过在去除所述中压区的垫氧化层的同时去除高压区的源区和漏区的垫氧化层，而非在刻蚀第二栅氧层时一并去除垫氧化层造成的垫氧化层残留，从而去除了具有鸟嘴缺陷的垫氧化层，即后续在形成栅极结构的刻蚀中在高压区的源区和漏区没有残留的垫氧化层存在，使得后续在高压区的源区和漏区的半导体衬底上形成的金属硅化物层没有受到影响，还没有影响后续在高压区的源区和漏区上形成的插塞与衬底之间的接触，从而没有影响高压器件的电性和可靠性。

本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相邻设置的高压区和中压区，所述高压区包括栅区、源区和漏区，所述栅区设置在所述源区和漏区之间，且所述栅区的半导体衬底上设置有第一栅氧层，所述源区、漏区和中压区的半导体衬底上设置有垫氧化层，所述源区的垫氧化层以及所述漏区的垫氧化层在靠近所述第一栅氧层的一侧上具有鸟嘴缺陷；通过沉积工艺在所述垫氧化层和第一栅氧层上形成第二氮化硅层；刻蚀所述第二氮化硅层，并保留所述栅区的第二氮化硅层，同时暴露出所述中压区、所述高压区的源区和漏区的垫氧化层；刻蚀去除所述栅区的第二氮化硅层，以暴露出所述第一栅氧层；在所述中压区的半导体衬底上依次形成第二栅氧层和多晶硅膜层，所述第二栅氧层的部分还覆盖所述高压区的源区和漏区的半导体衬底，以及所述第一栅氧层，所述多晶硅膜层覆盖所述第二栅氧层；依次刻蚀所述多晶硅膜层和第二栅氧层，以在所述栅区形成高压栅极结构，在所述中压区形成中压栅极结构。

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