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龙图腾网恭喜武汉鼎泽新材料技术有限公司;鼎龙(仙桃)新材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119612522B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510163022.8，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物是由周航;欧阳广成;李小龙;肖桂林;高念设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物，涉及硅溶胶制备技术领域。该半导体器件的制造方法包括用研磨用组合物对半导体晶片表面进行研磨的工序，研磨用组合物包括硅溶胶，硅溶胶的制备方法包括：利用阳离子树脂制备活性硅酸溶液；将活性硅酸溶液的pH调节至中性，使活性硅酸溶液在高温下陈化；将陈化的硅酸pH调至碱性，得到硅胶基质晶种溶液；滴加活性硅酸溶液，得到一种宽粒径分布的硅溶胶。本申请提供的硅溶胶具有很宽的SiO2粒径分布，且是一种有序的正态分布，该硅溶胶应用在研磨用组合物中时，大粒径SiO2与小粒径SiO2互相配合，与被抛物之间摩擦系数大，能显著提高抛光铜时的抛光速率，起到很好的机械削磨效果。

本发明授权半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使用研磨用组合物对半导体晶片表面进行研磨的工序，所述研磨用组合物包括硅溶胶，所述硅溶胶的制备方法包括以下步骤：S1：将稀释后的水玻璃和阳离子树脂进行交换反应，得到pH值为2.0-2.5的活性硅酸溶液；S2：在所述活性硅酸溶液中加入强碱水溶液，调节pH值为7-8，加热到60-80℃，并保温第一预设时间，冷却后通过微孔滤膜过滤，得到陈化硅酸溶液；S3：向所述陈化硅酸溶液加入强碱水溶液，调节pH值到11-11.5，充分搅拌后，加热至沸腾并保温第二预设时间，得到硅胶基质晶种溶液；S4：将所述硅胶基质晶种溶液在搅拌作用下升温至95-100℃，以预设滴速滴加所述活性硅酸溶液，得到硅溶胶；所述S2步骤中的所述第一预设时间为3-5h，所述pH值为7.5-8，所述S2和S3步骤中的强碱水溶液为氢氧化钾水溶液，所述S3步骤中的所述第二预设时间为1-3h，反应压强为140kPa，所述S3步骤中的加热温度为120-150℃，加热方式为蒸汽加热，所述硅胶基质晶种溶液中SiO2晶种的粒径为10-30nm。

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