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龙图腾网恭喜深圳市奥斯珂科技有限公司申请的专利边缘Ai芯片多层存储单元垂直互联封装方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510162692.8，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权边缘Ai芯片多层存储单元垂直互联封装方法和装置是由尹春设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本边缘Ai芯片多层存储单元垂直互联封装方法和装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于边缘AI芯片多层存储单元的垂直互联封装方法及装置。方法包括以下步骤：首先，获取边缘AI芯片的多层存储单元的初始封装参数，确保所述封装参数包含与垂直互联相关的物理属性。随后，通过构建多层存储单元的垂直互联模型，结合每个存储单元的封装参数，生成各层之间的连接结构。接着，基于生成的连接结构，对存储单元间的导通结构进行分区划分，从而得到多个独立的传输通道。再采用自动布线算法对这些传输通道的信号布局进行优化，以确定信号在各路线中的布局方式，并依据该布局方式调整封装参数，最终完成边缘AI芯片多层存储单元的垂直互联封装。该发明不仅提高了封装精度，还有效增强了信号传输的稳定性和抗干扰性能。

本发明授权边缘Ai芯片多层存储单元垂直互联封装方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种边缘Ai芯片多层存储单元的垂直互联封装方法，其特征在于，包括以下步骤：获取边缘AI芯片的多层存储结构中的各存储单元的初始封装参数，其中，所述封装参数至少包括：与垂直互联相关的物理属性参数；采用边缘AI芯片的多层存储单元垂直互联构建模型，结合所述各存储单元的封装参数，生成所述边缘AI芯片的多层存储结构中的各层连接结构；基于所述边缘AI芯片的多层存储结构中的各层连接结构，对所述多层存储单元之间的导通结构进行分区划分，得到多个独立的传输通道；采用自动布线算法对所述多层存储结构的多个传输通道进行布局优化处理，确定信号在路线中的布局方式；基于所述信号在路线中的布局方式，对所述初始封装参数进行调整得到最终的封装参数，进而采用所述最终的封装参数对所述边缘AI芯片的多层存储单元进行垂直互联封装。

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