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龙图腾网恭喜中电晶华(天津)半导体材料有限公司申请的专利一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411724880.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法是由李明达;龚一夫;秦涛;傅颖洁;刘云;彭永纯;耿月娇;赵扬;李杨;边娜;庞伟龙;翟玥设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法：S1：对硅外延炉中的石墨基座包硅；S2：将硅衬底片置于石墨基座上；S3：采用氢气携带三氯氢硅作为生长硅源，在硅衬底片上进行未掺杂硅外延层的生长，S4：通过第一条掺杂管路向反应腔体送入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅；S5：通过第二条掺杂管路向反应腔体送入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅，得到功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片。该方法可用于超重掺磷衬底多层硅外延片的工业化批量生产。

本发明授权一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片的制备方法，其特征在于，包括依次进行如下步骤：S1：对硅外延炉中的石墨基座进行包硅，所述石墨基座的包硅厚度为5~6μm；所述步骤S1具体包括以下步骤：对反应腔体通入氢气携带三氯氢硅，在反应腔体内的石墨基座上生长多晶硅包覆层，完成石墨基座的包硅，其中，氢气的流量为45~50Lmin，三氯氢硅的流量为10~12gmin；S2：将硅衬底片置于所述石墨基座上；S3：采用氢气携带三氯氢硅作为生长硅源，在所述硅衬底片的抛光表面上进行未掺杂硅外延层的生长，三氯氢硅的流量为7~8gmin，氢气流量为45~50Lmin，未掺杂硅外延层的目标生长厚度为0.5~0.6μm；S4：通过反应腔体配置的第一条掺杂管路向反应腔体送入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅，在未掺杂硅外延层的表面进行掺杂硅外延内层的生长，达到掺杂硅外延内层目标厚度和电阻率；其中，三氯氢硅的流量为7~8gmin，掺杂磷烷的流量为220~250sccm，生长速率为3.0~3.5μmmin；S5：通过反应腔体配置的第二条掺杂管路向反应腔体送入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅，在掺杂硅外延内层的表面进行掺杂硅外延外层的生长，达到掺杂硅外延外层目标厚度和电阻率，其中，三氯氢硅的流量为10~12gmin，掺杂磷烷的流量为110~120sccm，生长速率为3.6~4.0μmmin，得到功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片；在步骤S3之前，对反应腔体进行第一吹扫；所述第一吹扫具体包括以下步骤：将硅外延炉的反应腔体升温至1130~1150℃，保持3~5min，对所述硅衬底片进行烘烤，同时通入氢气，对反应腔体进行吹扫；在步骤S4之前，对反应腔体进行第二吹扫；所述第二吹扫具体包括以下步骤：通入氢气吹扫反应腔体，并将反应腔体的温度降低为1110~1120℃，氢气吹扫反应腔体的时间5~8min；步骤S4中，在向反应腔体送入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅之前，还通过通入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅对第一条掺杂管路进行排空；在步骤S5之前，对反应腔体进行第三吹扫；所述第三吹扫具体包括以下步骤：通入氢气吹扫反应腔体3~5min；步骤S5中，在向反应腔体送入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅之前，还通过通入掺杂磷烷气、氢气、三氯氢硅对第二条掺杂管路进行排空。

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