恭喜锐迪科微电子(上海)有限公司赵鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜锐迪科微电子(上海)有限公司申请的专利一种高耐压的SOI CMOS射频开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114039584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111609479.5，技术领域涉及：H03K17/041；该发明授权一种高耐压的SOI CMOS射频开关是由赵鹏设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高耐压的SOI CMOS射频开关在说明书摘要公布了：本发明涉及射频开关技术领域,公开了一种电容补偿式SOICMOS射频开关，包括一个固定端和至少一个选择端，每个选择端与固定端之间构成一条通道，每条通道的主路径为M个级联的开关管，每条通道的开关管的栅极连接同一个控制电压，每个开关管的源极和漏极之间均连接有电阻，每条通道从固定端开始选取N个连续的开关管，N个连续的开关管的源极和漏极之间分别连接有电容，开关管的源极和漏极之间的电容与该开关管的漏极和源极之间的电阻并联，在实际使用时，N个连续的开关管的源极和漏极之间的电容可以使射频信号在关闭的通道上的开关管上均匀分布，保证关闭的通道上的开关管不会因为电压分布不均被击穿，进而提高整个射频开关的功率承载能力。
本发明授权一种高耐压的SOI CMOS射频开关在权利要求书中公布了：1.一种高耐压的SOICMOS射频开关，其特征在于：包括一个固定端和至少一个选择端，每个选择端与固定端之间构成一条通道，每条通道的主路径为M个级联的开关管，每条通道的开关管的栅极连接同一个控制电压，每个开关管的源极和漏极之间均连接有电阻，每条通道从所述固定端开始选取N个连续的开关管，所述N个连续的开关管的源极和漏极之间分别连接有电容，所述N个连续的开关管的源极和漏极之间的电容的容值沿远离所述固定端的方向逐渐减小，开关管的源极和漏极之间的电容与该开关管的漏极和源极之间的电阻并联，M与N均为整数，N小于M。
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