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龙图腾网恭喜江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请的专利一种双向低触发电压ESD保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510220640.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种双向低触发电压ESD保护器件是由张春生;张鹏;杨珏琳;宋文龙;陈城;刘湘设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向低触发电压ESD保护器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种双向低触发电压ESD保护器件，包括SOI型P衬底材料、从下至上依序设置在SOI型P衬底材料表面的NWdeep阱区、PW1阱区、PW2阱区，在NWdeep阱区、PW1阱区、PW2阱区以及SOI型P衬底材料中形成PSD欧姆接触区和NSD欧姆接触区，该ESD保护器件通过两个槽区电学隔离从左至右依次分为辅助触发三极管NPN4、SCR单元以及辅助触发三极管NPN3。该结构将传统双向SCR结构的10V以上的触发电压降低至4V左右，可以通过PW2的尺寸进行与PW2的剂量进行调节。由于辅助触发单元的两个穿通三极管只起到辅助触发SCR开启的作用，主要的电流泄放路径为SCR结构，所以辅助触发单元并不会占用很大的版图面积，同时采用双向SCR结构可有效降低现有反向并联构成的双向低触发电压ESD保护器件的版图面积。

本发明授权一种双向低触发电压ESD保护器件在权利要求书中公布了：1.一种双向低触发电压ESD保护器件，其特征在于，包括SOI型P衬底材料（110）、从下至上依序设置在所述SOI型P衬底材料（110）表面的NWdeep阱区（120）、PW1阱区（130）、PW2阱区（140），在所述NWdeep阱区（120）、PW1阱区（130）、PW2阱区（140）以及SOI型P衬底材料（110）中形成PSD欧姆接触区（160）和NSD欧姆接触区（150），该ESD保护器件通过两个槽区（170）电学隔离从左至右依次分为辅助触发三极管NPN4、SCR单元以及辅助触发三极管NPN3于，构成两个NPN和一个PNP结构；还包括第一金属电极（101）和第二金属电极（102），所述第一金属电极（101）和第二金属电极（102）通过互联金属构成电流回路，当电压从第一金属电极（101）施加到第二金属电极（102）时，SCR路径为PNP到NPN2，当电压从第二金属电极（102）施加到第一金属电极（101）时，SCR路径为PNP到NPN1。

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