恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121602.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由王文智;张国伟;王建智设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底上形成有栅极结构，并在栅极结构两侧的衬底中形成漏极掺杂区和源极掺杂区；在源极掺杂区和漏极掺杂区的衬底上形成外延层，并将外延层金属化，以形成导电接触层，导电接触层的表面与栅极结构的表面齐平；在导电接触层和栅极结构上形成层间介电层，并在层间介电层中形成导电接触孔，导电接触孔贯通层间介电层并分别与导电接触层和栅极结构接触，以使得栅极结构、源极和漏极处于同一水平面，可以降低接触孔光刻和刻蚀工艺的工艺难度，并解决接触孔刻蚀出现的问题。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构，并在所述栅极结构两侧的衬底中分别形成有漏极掺杂区和源极掺杂区；在所有所述源极掺杂区和漏极掺杂区的衬底上形成外延层，并将所述外延层金属化，以形成导电接触层，其中，所述导电接触层的表面与所述栅极结构的表面齐平，所述外延层的高度与所述栅极结构的高度相同；在所述导电接触层和所述栅极结构上形成层间介电层，并在所述层间介电层中形成多个导电接触孔，所有所述导电接触孔贯通所述层间介电层并分别与所述导电接触层和栅极结构接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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