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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545991B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510081172.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；多量子阱发光层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层、第二子层、第三子层和第四子层均包括周期性交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；第一子层的GaN量子垒层、第二子层的GaN量子垒层、第三子层的GaN量子垒层中的至少一个插入有电子注入层；第四子层的GaN量子垒层中插入有空穴注入层。实施本发明，可以提高多量子阱发光层的电子空穴匹配度，从而提高发光二极管的光效。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层、第二子层、第三子层和第四子层均包括周期性交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；所述第一子层交替层叠的周期数为2~4，所述第二子层交替层叠的周期数为2~6，所述第三子层交替层叠的周期数为2~5，所述第四子层交替层叠的周期数为2；所述第一子层、第二子层和第三子层的GaN量子垒层中均插入有电子注入层；所述电子注入层包括依次层叠的第一AlGaN保护层、GaN电子注入层和第二AlGaN保护层；所述GaN电子注入层为Si掺杂的GaN电子注入层，Si掺杂浓度为2.2×1017cm-3~9.7×1017cm-3；所述第四子层的GaN量子垒层中插入有空穴注入层，所述空穴注入层包括周期性交替层叠的InGaN空穴注入层和AlGaN空穴注入层，所述空穴注入层交替层叠的周期数为2~5；所述InGaN空穴注入层为Mg掺杂的InGaN空穴注入层，In组分占比为0.01~0.08，Mg掺杂浓度为2.5×1018cm-3~6.2×1019cm-3；每个子层中，所述第一AlGaN保护层的Al组分占比与所述第二AlGaN保护层的Al组分占比相等；从所述第一子层到所述第三子层，所述第一AlGaN保护层的Al组分占比递减；从所述第一子层到所述第三子层，所述GaN电子注入层的Si掺杂浓度递减。

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