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龙图腾网恭喜苏州芯合半导体材料有限公司申请的专利低温快速烧结的高性能多孔氧化铝陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119504240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510070611.1，技术领域涉及：C04B35/10；该发明授权低温快速烧结的高性能多孔氧化铝陶瓷及其制备方法是由洪从叶;庞吉宏设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温快速烧结的高性能多孔氧化铝陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温快速烧结的高性能多孔氧化铝陶瓷及其制备方法，该氧化铝陶瓷的制备原料按照质量百分比包括如下组分：55‑65%的纳米氧化铝粉末、20‑30%的低熔点多元复合盐、8‑12%的高分子造孔剂和3‑5%的智能响应型自蔓延引发剂；所述高分子造孔剂包括聚N‑异丙基丙烯酰胺、聚丙烯酸和偶氮苯改性聚乙烯醇；所述智能响应型自蔓延引发剂为PNVCL包覆AlNi的壳‑核结构复合材料；该多孔氧化铝陶瓷采用所述制备原料经低温烧结制成。该多孔氧化铝陶瓷具有较高的孔隙率以及丰富的孔隙结构，且具有较优的力学性能、导热性能和传质性能，同时具有低温快速烧结的特点。

本发明授权低温快速烧结的高性能多孔氧化铝陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低温快速烧结的高性能多孔氧化铝陶瓷，其特征在于，其制备原料按照质量百分比包括如下组分：55-65%的纳米氧化铝粉末、20-30%的低熔点多元复合盐、8-12%的高分子造孔剂和3-5%的智能响应型自蔓延引发剂；所述智能响应型自蔓延引发剂为PNVCL包覆AlNi的壳-核结构复合材料；所述高分子造孔剂包括聚N-异丙基丙烯酰胺、聚丙烯酸和偶氮苯改性聚乙烯醇；聚N-异丙基丙烯酰胺、聚丙烯酸、偶氮苯改性聚乙烯醇的质量比为1.5~2.5：1~1.5：1；该多孔氧化铝陶瓷采用所述制备原料经低温烧结制成，包括如下步骤：（1）将制备原料按照质量百分比混合均匀；（2）将步骤（1）制得的混合物经成型工艺，形成坯体，将坯体在惰性气体保护下，采用激光点火技术在200-250℃的温度下引发自蔓延放热反应，并于900-1100℃进行烧结；（3）烧结结束后，降温，制得高性能多孔氧化铝陶瓷。

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