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龙图腾网恭喜贵州振华风光半导体股份有限公司申请的专利一种高导热厚膜基片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111549093.X，技术领域涉及：H10D86/80；该发明授权一种高导热厚膜基片及其制备方法是由张超超;唐拓;周恒;刘金丽;陈毅;黄洁;徐永朋;李阳设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高导热厚膜基片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种高导热厚膜基片及其制备方法，属于混合集成电路领域。包括厚膜基片本体、导带或阻带、芯片焊接区、导热凹孔、磁控溅射层、金锡焊料层、铜块、填充层、背面金属化层。导带或阻带、芯片焊接区位于厚膜基片本体正面表面，背面金属化层位于厚膜基片背面，导热凹孔位于厚膜基片背面正对表面芯片焊接区的区域，磁控溅射层为在陶瓷凹孔底部的耐高温金属膜层，金锡焊料层为铜块与凹孔底部的耐高温金属膜层之间的焊接层，铜块位于凹孔中，纳米金浆料填充层位于铜块与凹孔的间隙中。采用激光开凹孔。在不影响其电路载体功能的情况下，通过改变氧化铝厚膜基片的结构，从而增加厚膜基片的导热效率。广泛应用于功率混合集成电路中作高导热性能厚膜基片。

本发明授权一种高导热厚膜基片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高导热厚膜基片，包括：厚膜基片本体，导带或阻带，芯片焊接区，导热凹孔，磁控溅射层，金锡焊料层，铜块，纳米金浆料填充层，厚膜基片背面金属化层；所述导带或阻带、芯片焊接区位于厚膜基片本体正面表面；所述厚膜基片背面金属化层位于厚膜基片背面；所述导热凹孔位于厚膜基片背面正对表面芯片焊接区的区域，凹孔深度为使芯片粘接处的基片厚度达到150μm～200μm；所述磁控溅射层为在陶瓷凹孔底部的耐高温金属膜层，厚度为100μm～150μm；所述金锡焊料层为铜块与凹孔底部的耐高温金属膜层之间的焊接层；所述铜块位于凹孔中，与凹孔壁的间隙小于0.1mm；所述纳米金浆料填充层位于铜块与凹孔的间隙中；所述高导热厚膜基片的制备方法如下：（1）按照现有工艺在厚膜基片正面印刷导带、阻带或焊盘，在厚膜基片背面印刷金属层，烘干待用；（2）根据厚膜基片上的芯片组装图，在厚膜基片背面对准正面芯片的区域，进行预开孔；（3）对预开孔的位置，采用激光开凹孔，使芯片粘接处的厚度达到150μm～200μm；（4）采用磁控溅射在陶瓷凹孔中镀上耐高温金属膜层，厚度为100μm～150μm；（5）在凹孔中采用金锡合金焊技术焊接裸铜块，裸铜块大小与凹孔大小相仿，裸铜块尾端恰好与基片背面在同一平面；（6）采用纳米金浆料填充凹孔缝隙，在250℃～300℃下烘干；（7）采用超声清洗烘干更改结构后的厚膜基片；（8）采用等离子清洗厚膜基片，清洗完成备用；所述厚膜基片的材料为微晶玻璃、三氧化二铝、氮化铝或氧化铍。

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