恭喜复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司丁荣正获国家专利权
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龙图腾网恭喜复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利静态随机存取存储器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111528267.4，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器结构是由丁荣正;俞少峰;朱小娜;朱宝;尹睿设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一行所述晶体管单元沿第一方向依次设置，所述晶体管单元包括沿所述第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，所述晶体管单元的第二传输管与在所述第一方向上相邻的所述晶体管单元的第一传输管堆叠设置在一起形成共栅结构，能够减少第一传输管和所述第二传输管所占的面积，提高电路集成度，并降低制造成本。
本发明授权静态随机存取存储器结构在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器结构，其特征在于，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一行所述晶体管单元沿第一方向依次设置，所述晶体管单元包括沿所述第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，所述晶体管单元的第二传输管与在所述第一方向上相邻的所述晶体管单元的第一传输管堆叠设置在一起形成共栅结构。
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