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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种耐高温传感器的无引线封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114132885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111307080.1，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种耐高温传感器的无引线封装结构及方法是由赵友;赵玉龙;王鲁康;杨玉设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温传感器的无引线封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐高温传感器的无引线封装结构及方法，该无引线封装结构包括传感器芯片、用于支撑传感器芯片的传感器壳体以及设置在传感器壳体上的金属引脚，所述金属引脚通过耐高温导电层与传感器芯片的金属电极相连，该金属电极外置在传感器壳体表面或内置于传感器壳体。本发明一方面解决了常规金属引线键合封装技术在高温环境中可靠性蜕化甚至失效的问题，另一方面，简化了封装引线方式，操作简单、成品率高，在实际使用中可靠性高，并且适合批量生产、成本低，具有很高的性价比。同时，本发明通过选择并简化封装材料，提高了传感器在高温环境中的工作稳定性和长期可靠性，并且传感器芯片通过采用齐平封装，具有动态响应特性好的优点。

本发明授权一种耐高温传感器的无引线封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高温传感器的无引线封装结构，其特征在于：该无引线封装结构包括传感器芯片（5）、用于支撑传感器芯片（5）的传感器壳体（1）以及设置在传感器壳体（1）上的金属引脚（2），所述金属引脚（2）通过耐高温导电层（4）与传感器芯片（5）的金属电极（501）相连，该金属电极（501）外置在传感器壳体（1）表面或内置于传感器壳体（1）；所述传感器壳体（1）包括基体以及设置在基体上的芯片封装槽（102），传感器芯片（5）通过设置在芯片封装槽（102）底部的封接层（6）与传感器壳体（1）相连，传感器芯片（5）与传感器壳体（1）的表面齐平；所述传感器壳体（1）还包括设置在基体上的腔道（103），腔道（103）与芯片封装槽（102）的底部相连，即腔道（103）与芯片封装槽（102）连通；该腔道（103）采用与外界连通的通道结构，或者，该腔道（103）采用内腔结构；所述传感器壳体还包括设置在基体上的通孔（101），该通孔（101）内设置有导电封接块（3），导电封接块（3）填充在金属引脚（2）位于通孔（101）内的部分与通孔（101）的内壁之间。

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