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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利标准单元库边缘单元的版图布局设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114036889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111268380.3，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权标准单元库边缘单元的版图布局设计方法是由张凯设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本标准单元库边缘单元的版图布局设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种标准单元库边缘单元的版图布局设计方法，其包括以下步骤：步骤一，根据对应标准单元库的基本参数和流片厂家提供的设计规则文件中最小设计规则，确定边缘单元的基本参数；步骤二，根据所述边缘单元的基本参数和版图设计规则，设计所述边缘单元，具体有六种边缘单元，分别是第一边缘单元、第二边缘单元、第三边缘单元、第四边缘单元、第五边缘单元、第六边缘单元；步骤三，数字后端进行设计边缘单元的版图时，合理插入所述边缘单元于IP模块的外沿，从而实现P阱隔离。本发明优化标准单元库的设计开发流程，可以实现不同器件类型的标准单元水平拼接，提高数字电路的后端设计效率。

本发明授权标准单元库边缘单元的版图布局设计方法在权利要求书中公布了：1.一种标准单元库边缘单元的版图布局设计方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一，根据对应标准单元库的基本参数和流片厂家提供的设计规则文件中最小设计规则，确定边缘单元的基本参数；步骤二，根据所述边缘单元的基本参数和版图设计规则，设计所述边缘单元，具体有六种边缘单元，分别是第一边缘单元、第二边缘单元、第三边缘单元、第四边缘单元、第五边缘单元、第六边缘单元；所述第一边缘单元的版图中，DeepN-Well覆盖整个边缘单元，PMOS区域被N-Well层覆盖，NMOS区域被P-Well层覆盖；所述第二边缘单元的版图中，DeepN-Well覆盖整个边缘单元，NMOS区域被N-Well层覆盖，PMOS区域被P-Well层覆盖；所述第三边缘单元的版图中，DeepN-Well覆盖整个边缘单元，PMOS区域和NMOS区域的左半部分被N-Well层覆盖，NMOS区域的右半部分为P-Well；所述第四边缘单元的版图中，DeepN-Well覆盖整个边缘单元，NMOS区域和PMOS区域的左半部分被N-Well层覆盖，PMOS区域的右半部分为P-Well；所述第五边缘单元的版图中，DeepN-Well覆盖整个边缘单元，PMOS区域和NMOS区域都被N-Well层覆盖；所述第六边缘单元的版图中，DeepN-Well覆盖整个边缘单元，PMOS区域的左半部分和NMOS区域的左半部分被N-Well层覆盖，PMOS区域的右半部分和NMOS区域的右半部分为P-Well；步骤三，数字后端进行设计边缘单元的版图时，合理插入所述边缘单元于IP模块的外沿，从而实现P阱隔离。

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