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龙图腾网恭喜西安紫光国芯半导体股份有限公司申请的专利一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110466818.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构是由王玉冰;谢永宜;左丰国设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及多芯片封装技术领域，具体涉及一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构。该方法包括：获取第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果；根据所述工作电压比较结果，控制输入驱动器的工作模式，以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式。本发明根据第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果，控制输入驱动器的工作模式，以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式，减少了工作状态不正确、漏电等情况对芯片筛片等测试的干扰，提高了多芯片封装的系统功能调试效率。

本发明授权一种芯片工作模式的控制方法、装置和多芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多芯片封装中芯片工作模式的控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一工作电压vdd1和第二工作电压vdd2的工作电压比较结果；其中，vdd1为第一芯片的工作电压；vdd2为第二芯片的工作电压；根据所述工作电压比较结果，控制输入驱动器的工作模式，以使所述第一芯片工作在与所述输入驱动器的工作模式相适应的工作模式；其中，所述第二芯片通过所述输入驱动器接入所述第一芯片；所述根据所述工作电压比较结果，控制输入驱动器的工作模式，包括：若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足vdd2≤k·vdd1，则将所述输入驱动器调整为内部下拉模式或内部上拉模式，以使所述第一芯片工作在所述第二芯片未正常上电的默认工作模式；其中，k为小于1的正数；若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足k·vdd1＜vdd2≤vdd1，则控制所述输入驱动器将vdd2电压域输入信号经levelshifter通路转化为vdd1电压域输出信号，以使所述第一芯片工作在所述第二芯片上电完成的正常工作模式；若所述工作电压比较结果中vdd1和vdd2满足vdd1＜vdd2，则控制所述输入驱动器将vdd2电压域输入信号经buffer通路转化为vdd1电压域输出信号，以使所述第一芯片工作在所述正常工作模式。

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