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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249685B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110462078.5，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：位于衬底上的若干第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上或者所述第一金属层位于所述第二金属层上，所述若干第二金属层平行于第二方向，且各所述第二金属层分别与多条所述第一电极电连接；位于衬底上的若干第三金属层，所述第三金属层位于所述第一金属层上或者所述第一金属层位于所述第三金属层上，所述若干第三金属层平行于第二方向，且各第三金属层分别与多条所述第二电极电连接。即，每层金属层的电极端不需要通过较粗的极板连接，可以减少每层金属层的电极端面积，从而可以增加极板的数量，进而提高MOM电容的密度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区沿第一方向排布，且所述第一区和所述第二区分别位于所述第一金属层的相对两端，所述第一金属层还包括位于所述第一区和所述第二区之间的中间区，所述第一金属层包括多条第一电极和多条第二电极，所述多条第一电极和所述多条第二电极与第一方向平行且沿第二方向排列，各所述第二电极位于相邻两条第一电极之间，所述第一方向与所述第二方向垂直；位于衬底上的若干第二金属层，所述第二金属层的数量为两条或三条，所述第二金属层位于所述第一金属层上或者所述第一金属层位于所述第二金属层上，所述若干第二金属层平行于第二方向；位于第一区和所述第二金属层之间的多个第一导电插塞，使各所述第二金属层分别与所述第一区的多条所述第一电极电连接，多个所述第一导电插塞位于所述第一金属层的一端；位于衬底上的若干第三金属层，所述第三金属层的数量为两条或三条，所述第三金属层位于所述第一金属层上或者所述第一金属层位于所述第三金属层上，所述若干第三金属层平行于第二方向；位于第二区和所述第三金属层之间的多个第二导电插塞，使各第三金属层分别与所述第二区的多条所述第二电极电连接，多个所述第二导电插塞位于所述第一金属层的另一端。

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