恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113628961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010376876.1，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体器件的形成方法是由张海洋;韩秋华;郑二虎;涂武涛设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅极结构和覆盖伪栅极结构侧壁的底部介质层；刻蚀去除所述伪栅极结构，在所述底部介质层中形成栅开口；在所述栅开口的内壁形成高k栅介质层；形成所述高k栅介质层之后，对所述高k栅介质层执行远端等离子体处理工艺；对所述高k栅介质层执行远端等离子体工艺之后，在所述栅开口内形成金属栅极。上述的方案，可以提高所形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的鳍部，所述鳍部的材料包括SiGe；在所述基底上形成伪栅极结构和覆盖伪栅极结构侧壁的底部介质层；刻蚀去除所述伪栅极结构，以在所述底部介质层中形成栅开口；在所述栅开口的内壁形成高k栅介质层；对所述高k栅介质层执行远端等离子体处理工艺，以对所述高k栅介质层进行表面钝化处理，去除所述高k栅介质层表面存在着氧空位和界面陷阱，并降低缺陷电荷密度；对所述高k栅介质层执行远端等离子体处理工艺之前，还包括：对所述高k栅介质层执行脉冲等离子体处理工艺；所述脉冲等离子体处理工艺所使用的气体包括SF6，通过处理气体SF6中F离子和S离子消除SiGe鳍部中存在的悬挂键；对所述高k栅介质层执行远端等离子体工艺和脉冲等离子体处理工艺之后，在所述栅开口内形成金属栅极。
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