长飞光纤光缆股份有限公司杨念获国家专利权
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龙图腾网获悉长飞光纤光缆股份有限公司申请的专利一种石英型低串扰传像光纤及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117023972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310847876.9,技术领域涉及:C03B37/027;该发明授权一种石英型低串扰传像光纤及其制备方法是由杨念;李鹏;吴威;王瑞春;张磊设计研发完成,并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石英型低串扰传像光纤及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于光纤技术领域,公开了一种石英型低串扰传像光纤及其制备方法。本发明首先腐蚀第一高NA芯棒的纯二氧化硅层,将腐蚀后的芯棒置于掺氟玻璃套管内熔缩得到第二高NA芯棒,该芯棒的数值孔径为0.40~0.45;然后对第二高NA芯棒进行拉制得到单芯毛细棒;将若干单芯毛细棒堆叠在第一纯二氧化硅外套管内得到复丝预制棒,对复丝预制棒进行拉制得到复丝毛细棒;对复丝毛细棒的纯二氧化硅包层进行部分腐蚀,得到腐蚀后的复丝毛细棒;最后将若干腐蚀后的复丝毛细棒堆叠在第二纯二氧化硅外套管内得到传像光纤预制棒,对传像光纤预制棒进行拉制得到石英型低串扰传像光纤。本发明能够提高芯棒、传像光纤的NA值,降低纤芯之间的串扰。
本发明授权一种石英型低串扰传像光纤及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种石英型低串扰传像光纤的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、腐蚀第一高NA芯棒的纯二氧化硅层,将腐蚀后的芯棒置于掺氟玻璃套管内熔缩,得到第二高NA芯棒;其中,所述第一高NA芯棒为采用PCVD工艺制备得到的芯棒,所述第一高NA芯棒从内至外依次包括纯二氧化硅掺锗的芯层、纯二氧化硅掺氟的下陷层和作为包层的所述纯二氧化硅层,所述第一高NA芯棒的数值孔径的取值范围为0.20~0.35;所述第二高NA芯棒从内至外依次包括纯二氧化硅掺锗的芯层、纯二氧化硅掺氟的下陷层和作为包层的所述掺氟玻璃套管,所述第二高NA芯棒的数值孔径的取值范围为0.40~0.45;步骤2、对所述第二高NA芯棒进行拉制,得到单芯毛细棒;步骤3、将若干所述单芯毛细棒堆叠在第一纯二氧化硅外套管内,得到复丝预制棒;对所述复丝预制棒进行拉制,得到复丝毛细棒;步骤4、对所述复丝毛细棒的纯二氧化硅包层进行部分腐蚀,得到腐蚀后的复丝毛细棒;步骤5、将若干所述腐蚀后的复丝毛细棒堆叠在第二纯二氧化硅外套管内,得到传像光纤预制棒;对所述传像光纤预制棒进行拉制,得到石英型低串扰传像光纤。
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