恭喜长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111301855.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器是由卢经文设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区；在多个有源区的上方形成多个位线接触掩膜结构，且每个位线接触掩膜结构至少覆盖一个有源区端点；沿位线接触掩膜结构向下刻蚀，在有源区端点内形成节点接触孔，并在节点接触孔内填充半导体材料，以形成第一节点接触结构；在多个有源区的上方形成多个位线结构，并在多个位线结构之间的空隙继续填充半导体材料，直至形成有第二节点接触结构，第一节点接触结构和第二节点接触结构共同构成节点接触结构。这样，通过提前形成节点接触孔和第一节点接触结构，能够改善节点接触结构容易产生填充缝隙的问题，提高半导体的电学性能。
本发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个有源区；在所述多个有源区的上方形成多个位线接触掩膜结构，且每个位线接触掩膜结构至少覆盖一个有源区端点；沿所述位线接触掩膜结构向下刻蚀，在所述有源区端点内形成节点接触孔，并在所述节点接触孔内填充半导体材料，以形成第一节点接触结构；在所述多个有源区的上方形成多个位线结构，并在所述多个位线结构之间的空隙继续填充所述半导体材料，直至形成有第二节点接触结构，所述第一节点接触结构和所述第二节点接触结构共同构成节点接触结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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