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龙图腾网恭喜上海大学申请的专利硅基尺寸可控β-Ga₂O₃纳米线的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113658852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110853195.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权硅基尺寸可控β-Ga₂O₃纳米线的制备方法是由黄健;顾克云;尚艺;邓洁;刘尊;张志洛;丁可可;张子龙;唐可;王林军设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基尺寸可控β-Ga₂O₃纳米线的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备方法，所述硅基尺寸可控β‑Ga2O3纳米线的制备工艺是：首先在单晶Si100衬底上沉积不同厚度的金Au催化层，并对催化层进行原位球化退火，得到不同尺寸的Au纳米颗粒，然后进行磁控溅射生长β‑Ga2O3纳米线并原位退火，得到不同尺寸的β‑Ga2O3纳米线。本发明通过调控β‑Ga2O3纳米线的尺寸可得到具有缺陷少、电阻率高、均匀致密等优点的β‑Ga2O3纳米线。本发明制备的不同的尺寸的β‑Ga2O3纳米线在日盲紫外探测器应用中表现出优异的性能，在军事领域可应用于导弹逼近预警系统、紫外通信、紫外成像导航等，在民用领域的汽车尾气检测、火焰检测、指纹检测等方面有广阔的应用前景。

本发明授权硅基尺寸可控β-Ga₂O₃纳米线的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基尺寸可控β-Ga2O3纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）Au催化层的制备：采用电子束溅射沉积方法，在经清洗和表面态处理的单晶100Si衬底上生长一层厚度为10~40nm的Au催化层，通过控制催化层厚度来调控β-Ga2O3纳米线的尺寸；所用的Au为高纯Au，按照金属所含杂质浓度比例作为金属纯度的计算方法，金属纯度为99~99.99999%；（2）β-Ga2O3纳米线的生长过程：采用磁控溅射方法，在所述步骤（1）中所制备的带有Au催化层的衬底上生长β-Ga2O3纳米线；选取Ga2O3靶材的纯度不低于99.99%；在正式溅射前，先对Au催化层在不低于600℃条件下预处理至少30mins，对Au催化层进行原位球化退火，使其变成Au纳米颗粒；然后进行正式溅射，将衬底温度继续升温至不低于700℃，通入Ar气产生辉光等离子体，从而制备出β-Ga2O3纳米线；（3）β-Ga2O3纳米线的原位退火处理：将所述步骤（2）中制备的β-Ga2O3纳米线进行原位退火处理，退火温度不低于700℃，从而获得结构均匀致密的β-Ga2O3纳米线，退火结束后，待样品冷却至室温，取出硅基β-Ga2O3纳米线成品。

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