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龙图腾网恭喜杭州广立微电子股份有限公司申请的专利应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111029329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911302962.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法是由张飞虎;陆梅君;杨慎知设计研发完成，并于2019-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于FinFET工艺中，利用电性测试来有效监控EPI大小的测试结构，该测试结构包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍Fin，第一根鳍和或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极GT，对于处于中间的每根栅极，在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构，所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧，以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。

本发明授权应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于FinFET工艺中监控EPI的测试方法，其特征在于，具体包括下述步骤：步骤1：设置测试组；设FinFET中相邻的鳍Fin之间距离为Dist，每个鳍的宽度为Width，设FinPitch＝Dist+Width；设置若干个测试组，并使相邻的测试组FinPitch的取值差值为预设的增值K；步骤2：EPI生长；将所有测试组在相同的环境下生长EPI；步骤3：测试；对于每个测试组，利用应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构，并通过焊盘连接到电压源和电流采集单元构成测试通路，在电压源提供电压V的条件下，利用电流采集单元测得每个测试组的电流I；步骤4：计算；利用公式计算得到每个测试组的电阻值，比较各测试组的电阻值，若某测试组的电压值出现跳变时，则该测试组的FinPitch值即为生长的EPI的大小；所述应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构，包括FinFET中至少两根依次相邻的鳍Fin，第一根鳍和或最后一根鳍上取两个连接点以连接到各自的焊盘；所述鳍上横跨有至少两根依次相邻的栅极GT，对于处于中间的每根栅极，在第一根鳍或者最后一根鳍上分别设置有连接结构，所述连接结构用于连接该鳍上被该栅极隔断的两侧，以形成蛇形线的应用于FinFET工艺中监控EPI的测试结构。

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