恭喜拉姆伯斯公司F·韦尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜拉姆伯斯公司申请的专利高性能非易失性存储器模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113806243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111250123.7，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权高性能非易失性存储器模块是由F·韦尔;E·特塞恩;J·林斯塔特设计研发完成，并于2016-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本高性能非易失性存储器模块在说明书摘要公布了：公开了存储器控制器、器件、模块、系统和相关的方法。在一个实施例中，存储器模块包括用于经由总线耦合到存储器控制器的引脚接口。该模块包括至少两个非易失性存储器器件、以及设置在引脚接口与所述至少两个非易失性存储器之间的缓冲器。缓冲器从存储器控制器接收与DRAM存储器模块访问命令交错的非易失性存储器访问命令。
本发明授权高性能非易失性存储器模块在权利要求书中公布了：1.一种缓冲器电路，包括：用于耦合到存储器控制器的初级接口；用于耦合到至少两个非易失性存储器器件的次级接口；并且其中所述初级接口从所述存储器控制器接收非易失性存储器访问命令，所述非易失性存储器访问命令与用于由动态随机存取存储器DRAM存储器模块执行的DRAM存储器模块访问命令顺序地交错，所述DRAM存储器模块与所述非易失性存储器器件分离；其中所述缓冲器电路还包括：内部存储设备；以及逻辑，用于解释来自所述存储器控制器的命令，以执行对所述至少两个非易失性存储器器件的块访问并且在所述内部存储设备与所述至少两个非易失性存储器器件之间传输数据块；其中所述逻辑还包括旁路电路装置，用于在不访问所述至少两个非易失性存储器器件的情况下，导引输入的信号通过所述初级接口。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拉姆伯斯公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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