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龙图腾网恭喜深圳众诚达应用材料股份有限公司申请的专利一种金属氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119683992B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510194522.8，技术领域涉及：C04B35/457；该发明授权一种金属氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管是由周贤界;徐红星;侯宇航;孙立志;卢晓鹏;黄勇彪设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及靶材制备技术领域，提供一种金属氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管，包括：将金属氧化物混合粉进行煅烧和淬冷处理得到金属氧化物固溶粉；将金属氧化物固溶粉、玻璃粉、有机助剂和纯水混合球磨得到浆料；将浆料喷雾造粒得到造粒粉；将造粒粉成型处理得到坯体；将坯体进行脱脂、烧结和退火得到金属氧化物半导体靶材。本申请将金属氧化物混合粉煅烧和淬冷，抑制锌挥发和减少游离锌含量，得到高均匀稳定和高振实的金属氧化物固溶粉，利于提高靶材密度。添加玻璃粉除降低烧结温度和缩短时间，减少锌挥发，提高靶材致密度和均匀性，还促进Zn的固溶或固相反应，使薄膜稳定性更高；玻璃粉的氟离子替代部分氧离子，增强靶材的导电性。

本发明授权一种金属氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将金属氧化物混合粉进行煅烧处理和淬冷处理，得到金属氧化物固溶粉；通过淬冷实现快速冷却抑制锌挥发，同时稳定所述金属氧化物固溶粉的结构，减少游离锌的含量；将所述金属氧化物固溶粉、玻璃粉、有机助剂和纯水混合球磨，得到浆料；将所述浆料喷雾造粒，得到造粒粉；将所述造粒粉成型处理，得到坯体；将所述坯体进行脱脂、烧结和退火，得到金属氧化物半导体靶材；其中，所述金属氧化物混合粉包括氧化铟粉、氧化锡粉和氧化锌粉；所述玻璃粉的原料为质量比为（0~5）∶（0.5~10）∶（85~99.5）的二氧化硅粉、氧化锌粉和氟化亚锡粉；制备所述玻璃粉的熔炼温度为800~1100℃；所述金属氧化物固溶粉和玻璃粉的质量比为（98~99.9）∶（0.1~2）。

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