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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一种垂直亚1nm栅长场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510163404.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种垂直亚1nm栅长场效应晶体管及制备方法是由田禾;刘晏铭设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直亚1nm栅长场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体管制备技术领域，提供一种垂直亚1nm栅长场效应晶体管及制备方法，包括：台阶基底、石墨烯栅、低介电常数介质层、高介电常数介质层、二维薄膜沟道和接触金属；所述台阶基底具有台阶结构，通过所述台阶基底作为石墨烯栅的支撑层，使得石墨烯栅中的石墨烯附着在台阶基底的侧壁上；所述低介电常数介质层作为回填台阶与台阶基底的台阶结构相啮合填充台阶基底的台阶结构；所述高介电常数介质层作为栅介质层设置在低介电常数介质层顶部；所述二维薄膜沟道设置在所述高介电常数介质层顶部，所述接触金属设置在所述二维薄膜沟道上，与二维薄膜沟道形成电气连接。本发明创新性地提出了如何制备垂直的1纳米以下栅长的单栅、多栅晶体管。

本发明授权一种垂直亚1nm栅长场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直亚1nm栅长场效应晶体管制备方法，用于制备垂直亚1nm栅长场效应晶体管，其特征在于，包括：通过硅深刻蚀设备刻蚀出台阶基底；通过热氧化设备在台阶结构表面生成初始二氧化硅层；采用缓冲氧化蚀刻剂去除初始二氧化硅层，获得光滑的硅表面；在硅表面通过电感耦合等离子体增强化学气相沉积设备，生成第一二氧化硅层，其中第一二氧化硅层为基底二氧化硅层；通过湿法转移将石墨烯转移至具有二氧化硅层的台阶基底侧壁上并图形化；通过光刻完成石墨烯接触金属的沉积，并通过角度沉积在石墨烯表面生成种子层，在种子层表面通过电感耦合等离子体增强化学气相沉积设备生成第二二氧化硅层；在第一二氧化硅层与第二二氧化硅层的交接处下方通过化学机械抛光的方式进行研磨得到竖直石墨烯以及平整的晶圆界面；在竖直石墨烯的上方晶圆表面生成高介电常数介质层，在高介电常数介质层顶部构建二维薄膜沟道；在二维薄膜沟道上沉积二维材料的接触金属，完成晶体管的制备。

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